IGBT中使用的絕緣電路板：(絕緣柵Bipola Transister) 使用半導體作為高功率變頻器，例如混合動力汽車，燃料電池汽車，電動汽車，新幹線以及用於光伏發電的DC-AC轉換器。 DBC已開發。 近年來，當將半導體從Si替換為SiC時，SiN用於絕緣陶瓷，而厚度為1 mm的銅則用於電路。 我們通過擴散結合提供這種陶瓷和銅結合的產品。稱之為S-DBC：Sputtering Diffusion Bonding Copper
n可提供不同材料的陶瓷基本來配合客戶需要, 如SiN, AlN, BeO, Al2O3等等…
n用上新的接合技術S-DBC(Sputtering Diffusion Bonding Copper)
n跟AMB(Active Metal Bonding)相比, 接合力更強及對應1mm厚的銅層
n接合面不會出現合金層, 體現更高的導熱效果
n通過-40℃ ~170 ℃的高低溫測試熱衝擊測試中顯示出S-DCB工藝比傳統AMB工藝更 ：
①高溫可靠性測試：
-45 to 150 °C / cycle, dwell time 20 min, @ each Temp
à-45 ~ 150 °/ 2000 times Test passed (User evaluation)
②Observation result of DBC circuit board bonding state
-40 to 250 °/ 3000 times
àTest passed (AIST evaluation result)
